量子阱相关论文
In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决因晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。本文采用Silvaco软件建立了In组分渐变量......
在一个具有隧穿感应量子干涉的非对称双量子阱中，设计一种可操控的空间涡旋四波混频方案.通过调谐探测场的失谐和耦合场及涡旋场的R......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
近年来,由于GaN基蓝光激光二极管具有效率高、价格低、寿命长等特点广泛应用于激光打印、激光测量、激光显示和照明、激光探测等领......
电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点，在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高，电吸收调制激光器也不断被优化。文章......
本文设计了一种P型的GaN/AlGaN量子阱紫外-红外双色集成光电探测器结构，该结构工作在室温、零偏压下。先使用SilvacoTCAD软件对其进......
本论文综合应用了一些具体的量子化学计算方法，对当前的几个热点问题进行了研究。并对可能的交叉学科和方向的研究工作的开展作了必......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
新型的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode）由于其具有低功耗、高速以及特殊的I-V曲线特性,让其在振荡电路、逻辑器件、无线通......
“强光光学”或通常所称的“非线性光学”作为一门新兴学科，它着重研究激光技术出现后，人们通过强相干光与物质之间的相互作用而陆续......
低维半导体物理作为现代半导体物理以及凝聚态物理的重要组成部分之一，其蕴藏着丰富的科学内涵.它的主要研究对象是对于各种低维半......
本文主要研究了具有抛物势的低维量子体系的极化子效应。包括圆柱形自由量子线和量子阱的极化子效应。在第一章中概述了异质结、量......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
有机-无机杂化卤素钙钛矿具有出色的带隙连续可调、可溶液加工等优点,是新一代高性能半导体材料,基于此材料的太阳电池光电转化效......
半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视.芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美......
近年来,随着单光子技术在量子信息领域的潜在应用,高效稳定且具有高度不可分变性单光子源的制备与操控一直是该领域中至关重要的关......
氮化物发光二极管（Light emitting diodes,.LED）在21世纪初取得了重大的突破,在通用照明领域取得了广泛应用,并逐渐取代白炽灯和日光......
量子计算机能够快速地实现并行运算,其数据处理速度远超电子计算机。然而目前量子计算机只能在低温环境下运行,因此低温与室温间的......
自从2012年能级弥散概念和分数维度电子态系理论提出以来,关于能级弥散效应的进一步实验验证和分数维度电子态系理论在相关光电子......
非线性光学在现代光学研究领域中占有重要地位,其主要研究内容是激光与介质之间相互作用而引发的多种多样的非线性光学效应。经过......
采用龙格-库塔算法对激光与半导体双量子阱系统相互作用的密度矩阵方程进行数值求解，研究了不对称半导体双量子阱系统中电子布居转......
采用射频磁控溅射设备以NiO为空穴注入层在MQWs/n?GaN上制备了p?NiO/MQWs/n?GaN异质结发光器件。通过X射线衍射仪（XRD）、原子力显微......
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电......
采用532nm锁模脉冲激光和时间分辨测量系统测量了InGaAs/GaAa单量子阱在77K时,不同激发功率下的时间分辨光致发光谱.结果表明,在低......
假设量子阱是类W势阱，应变效应表现为势阱底部出现了类抛物线鼓包。在量子力学框架下，讨论了应变效应对输出波长的影响。结果表明，......
在经典力学框架内和小振幅近似下，引入正弦平方势，把粒子的运动方程化为广义Duffing方程。在二次非线性情况下，把Duffing方程化为外尔......
我们利用Ar 激光辐照a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料,使a-Si:H阱层晶化。在该样品中成功地观察到室温可见光致发光现象,研究了阱......
通过对两种结构参数与设计偏差较大的带间级联激光器（ICL）的研究，探讨了器件性能在结构变化下的耐受性。在300 K时，即使和4.6 μm的设......
Chip-scale integration of optoelectronic devices such as lasers, waveguides, and modulators on silicon is prevailing as ......
Property of the phase of the reemitted field in the semiconductor quantum wells (QWs) excited by femtosecond pulse train......
1689-nm diode lasers used in medical apparatus have been fabricated and characterized. The lasers had pnpn InP current c......
用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质,AlGaAs/GaAs对做布喇格反射镜,并以简单的平凹腔做谐振腔,半导体激光器作泵浦源,制......
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效......
The effect of quantum well number on the quantum efficiency and temperature characteristics of InGaN/GaN laser diodes (L......
为实现垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）在808 nm波长的激射，对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型......
对第三代太阳电池的InGaP/GaAs双叠层模型结构进行了理论性改进，提出了将GaInNAs/GaAs量子阱结构生长于子电池GaAs的空间电荷区的模......
成功制备出2.6μm GaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到......
成功地控制了自组织三维GaN小岛的外延生长，在其上面可形成多个非极性小面侧壁。以此作为一个理想的基底，在非极性小面上设计制备了I......
An optical bandwidth analysis of a quantum-well (16 nm) transistor laser with 150-\mum cavity length using a charge con......
HgTe/CdTe量子阱是研究拓扑绝缘体新奇物性的一个很好载体。采用Kane八带k·p模型, 对电场驱动Hg1-xCdxTe/CdTe量子阱拓扑相变及其......
The omni-directional reflection characteristics of one-dimensional photonic crystals composed of Ta2O5/MgF2 multi-quantu......
对比分析了量子阱材料增益谱及其折射率变化谱随阱宽、应变和载流子浓度的变化特性,在此基础上以两谱线3dB谱宽交叠区面积为度量,......
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(......
对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
